PECVD系統具有優良的電學性能、良好的襯底附著性以及臺階覆蓋性，正由于這些優點使其在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用。適用于室溫至1200℃條件下進行Si02、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，Sic膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料，尤其適合干有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
 

　　膜制備工藝在超大規模集成電路技術中有著非常廣泛的應用，按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)。等離子增強型化學氣相淀積(PECVD)是化學氣相淀積的一種，其淀積溫度低是它突出的優點。
 

　　結構組成：
 

　　PECVD系統主要由真空和壓力控制系統、淀積系統、氣體及流量控制、系統安全保護系統、計算機控制等部分組成。該技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤)產生輝光放電，利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態薄膜。
 

　　工藝原理：
 

　　在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。